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CdSe单晶体的生长及其特性研究

邵双运 , 金应荣 , 朱世富 , 赵北君 , 宋芳 , 王学敏 , 朱兴华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.002

本文报道了用改进的垂直气相法(多级提纯垂直气相法)生长富Cd的CdSe单晶体,并对晶体的性能进行了观测,其电阻率为107Ωcm量级,电子陷阱浓度为108cm-3量级,第一次报道了(110)面的腐蚀形貌。结果表明:采用这种方法制备CdSe单晶,设备简单,易于操作,在提纯和生长过程中不需要转移原料,有利于减少晶体中的杂质含量,降低位错密度,改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。

关键词: CdSe单晶体 , 多级提纯 , 气相生长 , 电阻率

硒化镉单晶体的研究进展

杨辉 , 张志勇 , 张敏 , 王茂州 , 陈太红 , 曾体贤

人工晶体学报

总结了CdSe单晶体的多种生长方法,包括温度梯度熔体法,移动区熔法,助熔剂法和气相提拉法等,其中气相提拉法能有效提高CdSe单晶体的晶体纯度及光学质量.介绍了CdSe晶体用于红外非线性光学器件以及室温核辐射探测器件的研究进展,并对CdSe晶体制作中红外偏振测量用波片进行了展望.

关键词: CdSe单晶体 , 气相提拉法 , 非线性光学器件 , 中红外波片

CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡

金应荣 , 朱世富 , 赵北君 , 王学敏 , 宋芳 , 李奇峰

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.018

化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响.本文根据相平衡原理,利用热力学分析方法,分析了CdSe单晶体的气相生长过程,阐明了控制化学配比的原理,指出只有在固-液-气三相平衡或接近三相平衡的条件下,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料,在1120~1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体.

关键词: CdSe单晶体 , 气相生长 , 相平衡

湿氧钝化CdSe(110)表面的XPS分析

罗政纯 , 朱世富 , 赵北君 , 王瑞林 , 陈松林 , 何知宇 , 李艺星 , 任锐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.008

用双氧水对CdSe单晶(110)表面进行钝化,采用X射线光电子能谱(XPS)分析了湿氧处理的CdSe(110)表面的化学特征.通过两次不同分析模式FAT(固定通能)和FRR(固定减速比)所得到的结果表明:CdSe表面出现Se偏析,表面上形成了SeOx(x<1),SeO、Cd(OH)2和CdCO3的高电阻稳定氧化层,消除了器件表面态,可以减少器件的表面漏电流和改善其信噪比.

关键词: CdSe单晶体 , 表面钝化 , XPS

硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究

温才 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 何知宇 , 任锐 , 罗政纯 , 李艺星

功能材料

通过变温(20~300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.

关键词: CdSe单晶体 , 核辐射探测器 , 霍尔效应

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