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ZnO纳米团簇与CdSe纳米棒复合膜的光电化学性能研究

郝彦忠 , 马洁霞 , 崔玥 , 孙宝 , 丁俊其

功能材料

用水热法合成了粒径均匀、分散良好的花状ZnO纳米团簇和CdSe纳米棒.讨论了ITO/ZnO/CdSe复合膜电极光电性能的影响因素,对比研究了ITO/ZnO纳米团簇及ITO/CdSe纳米棒膜电极的光电化学性能,实验表明:复合膜电极拓展了在长波方向的光吸收,提高了光电转换效率;当ZnO与CdSe复合摩尔比为1∶3时,ITO/ZnO/CdSe纳米复合膜电极在本实验中得到最高光电转换效率(IPCE)25.27%,远远高于单一ITO/ZnO花状纳米团簇膜电极和ITO/CdSe纳米棒膜电极.

关键词: ZnO纳米团簇 , CdSe纳米棒 , 复合膜电极 , 光电化学性能

CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

郝彦忠 , 殷志刚

功能材料

采用水热法制备了CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果表明,纳米棒直径在100nm左右,长度约300nm;纳米棒具有闪锌矿的结构;将CdSe纳米棒均匀涂在导电玻璃的导电面上,在400℃下煅烧30min后制备成纳米棒膜电极,并进行了光电化学研究,纳米棒膜结构电极最高单色光的光电转换效率(IPCE)可达74%.

关键词: 水热法 , CdSe纳米棒 , 光电化学

不同晶型 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

郝彦忠 , 殷志刚

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00413

采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒, 并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征. 结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒, 反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒. 并对纳米棒进行了光电性能测定, 纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE. CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.

关键词: CdSe纳米棒 , photoelectrochemistry , CdSe/PMeT composite film electrode

不同晶型CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

郝彦忠 , 殷志刚

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.03.007

采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒.并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IP.CE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE.CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.

关键词: CdSe纳米棒 , 光电化学 , CdSe/PMeT复合膜电极

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