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CdSiP2晶体退火及对红外光学性能的影响

林莉 , 赵北君 , 朱世富 , 何知宇 , 陈宝军 , 孙宁 , 黄巍 , 杨登辉 , 钟义凯

稀有金属材料与工程

采用改进的布里奇曼法生长出CdSiP2单晶体,运用X射线能谱仪、傅里叶变换红外分光光度计以及红外显微镜等对在不同气氛中退火前后的CdSiP2晶体进行了组分元素、红外吸收系数以及红外透过均匀性测试,根据红外显微镜Mapping图像的标准差值评判了晶体的红外透过均匀性.研究结果表明,经真空、CdSiP2粉末包裹、P/Cd(原子比为2:1)、Cd气氛等退火后,晶体组分元素的化学计量比、红外吸收系数和红外光学均匀性都得到了不同程度的改善,其中在1.29~2.00 μum,经CdSiP2粉末包裹退火后的晶体吸收系数改善显著,在1.92~1.98 μm波段的红外透过均匀性提高了14.06%;而在Cd气氛下退火后晶体的吸收系数在2.00~6.50 μm波段降低最为明显,在2.70~2.78 μm波段红外透过均匀性提高了17.43%.分析讨论了在上述波段中引起晶体红外吸收和红外透过不均匀性的主要因素,研究出较为有效的CdSiP2晶体退火工艺.

关键词: CdSiP2晶体 , 退火热处理 , 红外吸收系数 , 红外透射Mapping图像 , 红外透过均匀性

CdSiP2单晶生长及防爆工艺研究

吴圣灵 , 赵北君 , 朱世富 , 何知宇 , 陈宝军 , 杨辉 , 王小元 , 孙宁

人工晶体学报

对磷硅镉(CdSiP2)单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析,设计出新型的逐层减压坩埚.通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压,平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力,实现逐层减压,从而减小了内层坩埚形变,降低了生长容器爆炸的几率.同时,改进了布里奇曼生长法的降温工艺,生长出尺寸达φ14 mm×32mm的CdSiP2单晶体.X射线分析表明单晶衍射面为(204)晶面,回摆峰半峰宽值为0.434,衍射谱峰强度高,具有良好的对称性;晶体在1500~7500 cm-1波数范围的红外透过率达55%,吸收系数为0.10 ~0.17 cm-1,电阻率1.3×107 Ω·cm.

关键词: 改进布里奇曼法 , CdSiP2晶体 , 逐层减压坩埚

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