高宾
,
张晓军
,
朱长军
,
成鹏飞
材料导报
以Na2WO4·2H2O和CdCl2·2.5H2O为主要原料,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过水热反应合成了CdWO4纳米棒.用XRD、TEM、EDS、SAED等对产物进行了表征,初步探讨了CdWO4纳米棒的形成机理,测试了CdWO4纳米棒的光致发光性能.结果表明:产物为长1～1.5 μm、直径50～80 nm的Cd-WO4纳米棒;SDBS对CdWO4纳米棒的形成具有关键作用;随着CdWO4纳米棒结晶性的提高,其光致发光性能增强.
关键词:
水热法
,
CdWO4
,
纳米棒
,
PL光谱
张敬富
,
潘金根
,
娄丙谦
,
潘建国
,
陈红兵
人工晶体学报
采用液相合成法制备出了CdWO4多晶料.研究了反应溶液pH对原料纯度的影响,探索出满足晶体生长用原料的最佳制备条件.利用提拉法生长出尺寸为φ15 mm×60 mm的透明、接近无色的钨酸镉单晶.透光性及发光性等单晶性能测试表明,CdWO4单晶在可见光区域的透过率达70％左右,吸收边位于315 nm,荧光发射峰位于473.8 nm,即本征发光由蓝光组成.
关键词:
闪烁晶体
,
CdWO4
,
提拉法
陈红兵
,
肖华平
,
徐方
,
方奇术
,
蒋成勇
,
杨培志
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01036
采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶, 通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征, 分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化, 研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律. 结果表明, CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发, 且熔体中CdO比WO3更加易于挥发; CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征, 初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高, 后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小, 相应地单晶在380~550nm区域的光透过率略有降低, X射线激发发光强度有所降低, 且发光波长出现略微红移的趋势. 通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理, 可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.
关键词:
钨酸镉
,
crystal growth
,
Bridgman process
,
optical homogeneity
