夏冬林
,
赵修建
,
李建庄
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.029
本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理.电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成.溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位.Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜自带能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜分析Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成、晶体结构和表面形貌.结果表明当柠檬酸钠浓度为1.0M时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为单一的黄铜矿结构,晶粒大小均匀.
关键词:
Cu(In,Ga)Se2
,
薄膜
,
电沉积
,
柠檬酸钠
,
太阳能电池
刘芳芳
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孙云
,
张力
,
何青
,
李长健
人工晶体学报
本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数.在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内.量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520 nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520～1100 nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的.这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键.
关键词:
Cu(In,Ga)Se2
,
太阳电池
,
品质因子
,
反向饱和电流
,
二极管特性
杨发强
,
屈飞
,
古宏伟
,
李弢
,
王磊
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.03.013
用射频磁控溅射氧化锌掺铝陶瓷靶的方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al薄膜.研究了衬底温度(Ts)、靶基距(Dt-s)对薄膜结构及光电性能的影响.实验结果显示:Ts在室温至300℃、Dt-s在35～60mm范围内时,薄膜为六方相结构,并具有C轴取向,可见光范围平均透光率大于88%.Ts及Dt-s对薄膜电学性能的影响相似,随Ts升高或Dt-s增大,ZnO:Al薄膜的电阻率先减小后增大,霍尔迁移率先增大后减小,载流子浓度逐渐减小.在Ts为150℃,Dt-s为40 mm时,可获得最低电阻率4.18×10-4 Ω·cm的ZnO:Al薄膜,其载流子浓度为8.13×1020 cm-3、霍尔迁移率为18 cm2·V-1·s-1,可见光范围平均透过率为89%.
关键词:
ZnO:Al
,
射频磁控溅射
,
Cu(In,Ga)Se2
