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Cu-In合金硒化法制备CuInSe_2薄膜

欧铜钢 , 谭艳芳 , 王建兴 , 周兆锋 , 潘勇

材料导报

采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CuInSe_2薄膜.采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定其最佳沉积电位在-0.75V左右,Cu与In的化学计量比为1.1,达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比.研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响.硒化后,Cu与In的化学计量比为1,1时形成了比较单一的CuInSe_2黄铜矿相结构.

关键词: 电沉积 , Cu-In , CuInse_2 , 硒化

Cu-In体系的热力学优化

曹松 , 黄松涛 , 储茂友 , 岳强 , 沈剑韵

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.018

评估了Cu-In体系的相平衡和热力学实验结果, 并对体系进行了热力学优化. 采用替代模型描述体系的液相和富铜固溶体相, 双亚晶格模型描述线性化合物相, 三亚晶格模型描述非线性化合物相, 结合选取合理的实验数据, 优化得到Cu-In体系各相的热力学参数, 用优化结果计算的相图以及热力学性质与实验结果吻合.

关键词: Cu-In , 相图计算 , 热力学优化

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