刘阳
,
马骥
,
唐斌
,
蒋美萍
,
苏江滨
,
周磊
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.03.038
采用平衡直流磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在玻璃衬底上制备了Cu/Cu2O弥散复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等进行表征与分析.研究发现,Cu/Cu2O弥散复合薄膜表现出金属和半导体双特性,其电阻率范围为(5.23～9.98)×10-5 Ω·cm,禁带宽度范围为2.23～2.47 eV.同时,研究还发现衬底偏压对Cu/Cu2O弥散复合薄膜的形貌、结构、电学和光学性能都产生了较大的影响,特别是当衬底偏压为-100 V时薄膜样品的表面最为致密,结晶程度最好,电阻率最低,禁带宽度最窄.进一步地,对平衡磁控溅射过程的偏压效应进行了分析,并提出了两种区别于传统轰击和再溅射作用的新机制.
关键词:
Cu/Cu20
,
弥散复合薄膜
,
磁控溅射
,
衬底偏压
,
电阻率
,
禁带宽度
