李丽丽
,
丁铁柱
,
何杰
,
韩磊
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.05.014
采用脉冲激光溅射沉积法( PLD)制备了Cu - In - Ga双层预制膜,通过固态源硒化后热处理的方法获得了CuInl - xGaxSe2(CIGS)薄膜,研究制备预制膜的工艺参数以及热处理温度对CIGS薄膜特性的影响.采用台阶仪、SEM、EDS、XRD和紫外分光光度计研究了薄膜的厚度、表面形貌、成分、物相结构以及光学带隙.得到了制备具有较好光学性能CIGS薄膜的优化条件为:Cu、In、Ga的原子含量比为nCu/(nIn+nGa)=0.98,nGJ(nIn+nGa)=0.28,硒化温度250℃,硒化时间60min,热处理温度为550℃,在此优化条件下得到的薄膜光学带隙为1.43eV,XRD表明CIGS薄膜是单一黄铜矿薄膜.
关键词:
PLD
,
CuIn1-xGaxSe2
,
热处理温度
房文健
,
刘永生
,
杨晶晶
,
方津
,
彭麟
,
杨正龙
材料科学与工程学报
综述了CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)的晶体结构、光学性质和电学性质,介绍了其禁带宽度、导电类型、吸收系数、晶界面复合速率和少子寿命等重要参数.重点介绍了利用磁控溅射系统制备CIGS薄膜的两种制备工艺:磁控溅射金属预制层硒化法和单步溅射法；综述了非真空制备工艺中常用的电化学沉积法.分析了CIGS现存问题:制备工艺复杂、成本高,稀有金属In、Ga的短缺；并提出了相应的解决措施及发展趋势.
关键词:
铜铟镓硒
,
结构性质
,
磁控溅射
,
电化学沉积法
