黄荣铁
,
郑明
,
隋丽芳
,
蔡传兵
,
黄富强
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160210
将原料封装入真空石英管,在873 K进行固相反应制各了Li掺杂的Cu1-xLixInSe2(x=0-0.4)块体材料,并对该材料的结构、电学和光学特性进行了系统性的研究.Li掺杂之后,样品的晶体结构还保持黄铜矿结构,并能得到更大的晶粒.而电阻率从1.98×102 Ω·cm增大到2.73×108 Ω·cm.光学能隙也从0.90 eV提高到1.33 eV,增大了光伏开路电压.实验结果表明,Li掺杂的Cu1-xLixInSe2能有效提高光电材料的性能.
关键词:
黄铜矿结构
,
太阳能电池
,
块体材料
,
物理特性
,
CuInSe2
邹正光
,
聂小明
,
龙飞
,
陈壁滔
人工晶体学报
采用三电极系统,在超声辅助下,以Mo薄片为柔性基底制备了CuInSe2(CIS)前驱体薄膜,经热处理得到了具有黄铜矿型晶体结构的CIS薄膜.研究了热处理温度,保温时间和升温速率对CuInSe2薄膜成分、物相及形貌的影响.结果表明:热处理使薄膜物相变得纯净,随着热处理温度的提高、保温时间的延长和升温速率的减慢,结晶度提高.温度过高、时间过长制备的CIS薄膜表面有大颗粒出现以至表面粗糙度增加、颗粒不均匀.
关键词:
CuInSe2
,
超声电沉积
,
热处理温度
,
保温时间
,
升温速率
余晓艳
,
马鸿文
,
杨静
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.020
Cu-Ⅲ-Ⅵ2族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置,CuInSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的一个成员,其带隙能为1eV,光吸收系数较大,有希望成为潜在的太阳能材料.本文阐述了CuInSe2晶体的光电性能及在作为太阳能材料方面的应用,对合成CuInSe2单晶的各种生长方法进行了归纳和总结,并指出了研究中存在的问题和今后努力的方向.
关键词:
CuInSe2
,
光电材料
,
晶体生长
,
生长方法
,
化合物半导体
刘科高
,
王继扬
,
刘宏
功能材料
综述了国内外太阳电池及其材料的发展概况.目前应用的光电转换材料主要有硅材料和化合物半导体材料,介绍了用这几类材料制作的太阳电池的特点,重点介绍了其光电转换效率.在薄膜电池材料中重点综述了铜铟硒(CIS)基薄膜太阳电池的研究进展.由于制约太阳电池发展的关键问题是制备成本高和转换效率低,提出了采用化学法制备CIS基薄膜材料及其梯度带隙,该方法将开辟高性能CIS基吸收层薄膜材料及其器件制备的低成本新途径.
关键词:
太阳电池
,
光电转换
,
CuInSe2
,
梯度带隙
李建庄
,
夏冬林
,
赵修建
材料导报
电沉积法制备CIS薄膜因具有可实现大面积制备,成本低,制备效率高以及污染小等优点而得到了重点研究,是最有应用前途的薄膜太阳能电池材料之一.概述了电沉积制备CIS薄膜太阳能电池材料的原理、制备工艺,同时介绍了CuInSe2薄膜太阳能电池材料的发展概况.
关键词:
电沉积
,
CuInSe2
,
薄膜
,
太阳能电池
李婷婷
,
马永钧
,
刘婧
,
何春晓
,
周敏
,
彭波
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2012.00405
利用电沉积法在氰桥混配物预修饰的玻璃碳电极上再沉积CuInSe2半导体材料,制备了一种复合型修饰光电极( Eu-Fe-Mo/CuInSe2).以含Cu2+、In3+、SeO2-3及柠檬酸钠的酸性水溶液为电镀液,通过优化寻找到电镀液中最佳的Cu∶ In∶ Se料液比例,用恒电位电沉积法可以制备出具有良好光电效应的复合型修饰光电极.用SEM、EDS技术对复合修饰光电极的表面形貌及其修饰材料的元素组成进行了表征;以60W的普通日光型白炽灯为光源,采用开路电压和计时安培法研究了该复合修饰光电极的光电性质.测得该光电极的响应光电压大于30 mV,响应光电流密度大于8.9×10-6 A/cm2.实验结果表明,该复合修饰光电极呈现典型p型半导体的光电性质.
关键词:
CuInSe2
,
光电极
,
光电性质
,
氰桥混配物
闫志巾
,
白利锋
中国材料进展
在Cu衬底上用电沉积的方法沉积金属In,再通过硒蒸气硒化处理成功制备了CuInSe2薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)对制备的薄膜进行相组成、微观结构、表面形貌等分析,研究了制备工艺条件对薄膜性能的影响.结果表明:电沉积的In在低温热处理阶段与衬底Cu扩散形成Cu-In合金预制层,预制层在硒化阶段生成CuInSe2,合金中过量Cu生成CuSe表面层,未反应的In转变为Cu16In9,形成Cu衬底/Cu16In9/ CuInse2/CuSe结构.
关键词:
太阳能电池
,
CuInSe2
,
电沉积
