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La3Ga5SiO14单晶的生长、性能及SAW应用

武安华 , 徐家跃

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.010

本文综述了新型压电晶体La3Ga5SiO14的最新研究进展,详细讨论了该晶体的生长问题,简单介绍了该晶体的性能及其在SAW和BAW方面的应用,分析了该晶体在压电应用方面的优势.

关键词: La3Ga5SiO14 , Czochralski , LPE , 晶体生长 , 压电性能 , 声表面波

Optimal Control of Oxygen Concentration in a Magnetic Czochralski Crystal Growth by Response Surface Methodology

Huiping YU

材料科学技术(英)

Concepts and techniques of response surface methodology have been widely applied in many branches of engineering, especially in the chemical and manufacturing areas. This paper presents an application of the methodology in a magnetic crystal Czochralski growth system for single crystal silicon to optimize the oxygen concentration at the crystal growth interface in a cusp magnetic field. The simulation demonstrates that the response surface methodology is a feasible algorithm for the optimization of the Czochralski crystal growth process.

关键词: Czochralski , null , null , null

水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟

年夫雪 , 邓先亮 , 邓康 , 任忠鸣 , 吴亮

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.XY15083102

利用计算机模拟仿真技术对适用于生长18英寸直拉单晶硅的40英寸热场在水平磁场下的生长工艺进行三维模拟仿真计算,重点分析了不同强度水平磁场作用下熔体和晶体中的温度场分布、熔体中流场的变化及其对晶体生长固/液界面形状的影响及其变化规律,并进一步研究了不同水平磁场强度对熔体和晶体中氧杂质含量分布影响.数值模拟计算结果表明:由于外加水平磁场的引入,熔体的流动呈现完全的三维、非对称特点,从而导致熔体内的温度场、氧杂质的分布呈现明显的三维非对称特性;水平磁场强烈影响固/液生长界面下熔体的流动特性,从而显著影响熔体的固/液生长界面形状及氧杂质传输过程.

关键词: 水平磁场 , 18英寸硅单晶 , 直拉法 , 三维数值模拟

大尺寸MgAl2O4晶体的提拉法生长研究

邾根祥 , 朱沫浥 , 孙道胜

人工晶体学报

铝酸镁(MgAl2O4)晶体的性能优良,具有高熔点、高硬度、高强度,在紫外、红外、可见光波段具有良好的透过性,广泛应用于军事、科研、新材料等领域.本文详细介绍了采用下称重,CZ法(Czochralski)生长大尺寸(φ58mm)MgAl2O4单晶的工艺条件,并对影响晶体质量的主要因素进行了分析,讨论,给出了解决晶体质量问题的手段和有效途径.

关键词: 提拉法 , 下称重 , 温度梯度

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