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使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点, 用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性, 研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响。结果表明: 随着退火温度的升高, 量子点中Ge的组分下降, 量子点应变的弛豫程度加剧。在1000℃退火20 s后, 量子点材料已经完全弛豫。

关键词: 无机非金属材料 , rapid thermal annealing(RTA) , Ge quantum dots , DCXRD , Raman spectrum , null

蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

牛南辉 , 王怀兵 , 刘建平 , 刘乃鑫 , 邢艳辉 , 李彤 , 张念国 , 韩军 , 邓军 , 沈光地

功能材料

利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0～0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.

关键词: 氮化镓 , 蓝宝石衬底 , 斜切角度 , DCXRD , MOCVD

Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

朱军山 , 徐岳生 , 刘彩池 , 赵丽伟 , 滕晓云

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.038

用高温AlN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响.结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.

关键词: Si(111) , GaN , MOCVD , DCXRD

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快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响

蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

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