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Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体

李国强 , 谷智 , 介万奇

功能材料

采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.

关键词: Cd0.9Zn0.1Te , Cd补偿垂直布里奇曼法 , EPD , 红外透过率 , 电阻率

重掺碲(100) GaSb 单晶的研制

黎建明 , 屠海令 , 郑安生 , 罗志强

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.004

采用 LEC 工艺,通过特殊的过滤措施,可以批量拉制重掺碲的 GaSb 单晶材料.计算结果表明,在该生长系统及工艺条件下,碲在 GaSb 中的有效分凝系数约为0.38.GaSb 单晶 EPD 测试表明:EPD 沿径向分布呈"W"型,数量约为1×103cm-2;沿晶体生长方向(100)变化不大.

关键词: GaSb , 有效分凝系数 , EPD

KOH热湿腐蚀法准确估算GaN的位错密度

高志远 , 郝跃 , 张进城 , 张金凤 , 倪金玉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.003

实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度.大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中表面形貌的演化以及温度和时间对腐蚀结果影响的实验结果表明,位错类型与腐蚀坑三维形状相对应,而与腐蚀坑大小无关,极性是GaN不同种类位错的腐蚀坑具有不同形状的决定性因素.使所有缺陷都显示出来所需的腐蚀温度和时间呈反比关系.腐蚀法估算GaN位错密度的准确性取决于优化的腐蚀条件和合理的微观观测方法.

关键词: 位错密度 , GaN , 腐蚀坑密度 , 腐蚀机制

壳聚糖/单宁酸复合胶体粒子的制备及功能涂层研究

石甜甜 , 孙家娣 , 朱叶 , 孟龙 , 魏玮 , 刘晓亚

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.008

以壳聚糖(Chitosan, CS)和单宁酸(Tannic acid, TA)为组装基元,在水溶液中通过pH诱导组装制备壳聚糖/单宁酸(CS/TA)复合胶体粒子,用透射电子显微镜(TEM)对复合胶体粒子的尺寸及形貌进行了表征.再将复合胶体粒子水分散液为电泳沉积液,通过电泳沉积技术诱导复合胶体粒子在316L不锈钢表面二次组装制备纳米功能涂层;利用接触角测试对涂层表面的亲疏水性进行了研究;并通过体外细胞实验探究了涂层的细胞相容性,抗菌实验测试了涂层对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的抗菌活性.研究结果表明,通过电诱导胶体粒子可以在316L不锈钢表面形成了致密的纳米涂层材料,涂层具有良好的细胞相容性和抗菌作用,在生物涂层领域有着潜在应用前景.

关键词: 壳聚糖 , 单宁酸 , 自组装胶体粒子 , 电沉积 , 功能涂层

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