宋文斌
,
许高博
,
曾传滨
,
韩郑生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.012
采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOIMOSFETs,通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多指栅ggnMOS管子导通均匀性的影响.结果显示,采用了硅化物隔离挡板的管子二次击穿电压明显提高;随着挡板尺寸增加,多指栅的导通均匀性得到明显改善.
关键词:
绝缘体上硅SOI
,
ESD
,
源漏硅化物
,
二次击穿
,
导通电阻
,
栅接地NMOS器件
高玉新
,
赵程
,
易剑
,
朱流
功能材料
采用电火花沉积技术,在铸铁表面制备WC-8Co沉积涂层。利用XRD、SEM、显微硬度计、摩擦磨损试验机研究了涂层的微观组织及耐磨性能。结果表明,通过优化的沉积工艺参数可以获得组织均匀、致密且与基体呈冶金结合的沉积层。沉积层主要由Co3W3C、Fe3W3C、W2C和Fe7W6相组成;沉积层中弥散分布有大量的超细碳化物颗粒。沉积层的最高硬度为1512.1Hv,其耐磨性能是基体的2.3倍;沉积层的磨损机制主要是磨粒磨损和疲劳磨损。涂层中弥散分布的超细硬质相是沉积层硬度及耐磨性能提高的主要因素。
关键词:
电火花沉积
,
超细涂层
,
铸铁轧辊
,
组织结构
,
耐磨性能
李卿硕
,
吴倩
,
王莎
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0711
研究了液晶模组结构与静电放电(ESD)路径间的关系,当液晶模组受ESD冲击电荷无法顺利导出,抗ESD能力仅有2 kV的Driver IC便成为最容易损坏的器件,IC失效会导致液晶模组无法正常工作.实验证明,当在ESD放电路径上特定位置增加静电保护装置,可将瞬间的电荷浪涌导入大地以提高液晶模组抗ESD的能力.论文探讨了一种在TFT基板增加静电环设计的方法可以代替FPC增加TVS管的现有模式.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
静电放电
,
静电保护环
,
瞬变电压抑制二极管
刘志军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153001.0051
GOA型TFT LCD产品Shorting Bar testing工序烧伤现象严重,针对把根源归结为Shorting Bar Testing工序测试参数电压过高的假设,设计一个Source电压远高于理论测试电压的测试波形,分别以高压值参数和理论值参数对样品进行测试,结果发现两种情况下烧伤概率一样;针对把根源归结为Shorting Bar testing工序驱动程序启动瞬间冲击烧伤的假设,在测试驱动板上每个测试信号输入口加一个限流器,用加限流器和没加限流器的测试治具分别对样品进行测试,结果发现两者烧伤概率一样;针对把根源归结为静电击伤的假设,在Shorting Bar testing工序增加防静电措施,分别在改进前后的测试环境对样品进行测试,发现改进后未出现烧伤现象.可见出烧伤现象的根源在于静电,而非其他原因.
关键词:
OLED
,
电性能测试
,
波形测试
,
电压补偿
