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稀土元素掺杂对Y2SiO5:Tb发光性能的影响

焦桓 , 廖复辉 , 周晶晶 , 荆西平

中国稀土学报

系统讨论了La3+,Sc3+,Gd3+和Lu3+掺杂对(Y0.97Tb0.03)2SiO5的光致和阴极射线发光性能的影响,发现不同稀土元素对(Y0.97Tb0.06)2SiO5的发光性能有不同的作用,发光强度与掺杂稀土元素的种类和含量有关.在光致条件下,当La3+,Sc3+,Gd3+和Lu3+掺杂量分别为0.05,0.30,0.30和0.20时,与(Y0.97Tb0.03)2DiO5相比,(Y0 97-xRExTb0.0)2SiO5的发光强度分别变化了+10%,-30%,-15%和+20%.稀土元素掺杂对激活剂有显著的稀释作用,随掺杂稀土元素含量增大,激活剂的猝灭浓度表现出增大的趋势.稀土元素掺杂对(Y0.97Tb0.03)2SiO5的色纯度也有影响,不同稀土元素掺杂后荧光粉发光的色纯度表现出持续升高或降低的趋势.在阴极射线作用下,稀土掺杂(Y0.97Tb0.03)2SiO5的发光强度均得到提高,提高的程度依La3+,Gd3+,Lu3+和Sc3+次序分别为10%,25%,25%和5%~10%.根据稀土元素对发光性能的影响分析了稀土元素掺杂后(Y0.97Tb0.03)2SiO5发光性能产生差别的原因.

关键词: 硅酸钇 , , 光致发光 , 阴极射线发光 , FED , 稀土掺杂

HDMI视频接口技术在彩色FED中的应用

林志贤 , 陈兆芳 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.024

简单介绍了高清晰多媒体接口 HDMI的接口规范.着重论述了Si19023芯片内部功能结构、工作时序以及在FED平板显示器件视频驱动电路中的应用.提出了基于Si19023的硬件电路设计方案以及寄存器的设置.此电路方案已在63.5 cm彩色FED驱动系统中使用,为系统提供优质的数字视频源.显示分辨率最高支持UXGA.采用HDMI数字视频接口技术研制出了能驱动显示VGA分辨率的印刷型FED视频显示系统.该样机能显示各种彩色视频图像.图像亮度已达400 cd/m、对比度达1 010:1,电路厌度等级达256级.有效显示对角线尺寸为63.5 cm.

关键词: HDMI , SiI9023 , 视频接口 , FED

大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制

张永爱 , 许华安 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.012

在洁净的玻璃基底溅射Cr-Cu-Cr复合薄膜,利用光刻和湿法刻蚀技术制备了大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极.讨论了不同腐蚀液对金属Cr刻蚀的影响,借助视频显微镜和台阶仪测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,用质量比为6∶3∶100的KMnO4、NaOH和H2O的混合液腐蚀Cr膜的刻蚀速率平稳,刻蚀后的Cr电极边缘整齐,内向侵蚀少.此外,分析了FeCl3刻蚀液对Cu膜的刻蚀机理,讨论了刻蚀液在静置和循环条件下对制备FED薄膜型精细电极的影响,借助视频显微镜测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,FeCl3刻蚀液在循环条件下刻蚀Cu膜速度均匀,刻蚀后电极边缘整齐.

关键词: FED , 大屏幕 , 精细电极 , 湿法刻蚀

一种提高大面积碳纳米管场发射能力方法

倪小静 , 夏姣贞 , 顾征

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.019

碳纳米管(CNT)具有良好的场发射特性,研究表明,垂直于基板的碳纳米管具有较其他取向更大的场发射能力,本文介绍一种在大面积基板上使碳纳米管取向垂直的方法,通过有关参数的实验测试,研究了解场发射能力提高程度,并估算场增强因子.本方法对制备大屏幕场发射显示器(FED)具有积极意义.

关键词: 纳米碳管 , 场发射显示 , 垂直取向

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