孙忠巍
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王群
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瞿志学
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汤云晖
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武彤
稀有金属材料与工程
利用电子束蒸发沉积的方法制备了不同Ga含量的FeGa合金薄膜,采用XRD和EDS对制得的FeGa合金薄膜的物相和成分进行了分析.合金薄膜在氨/氢比1:1的气氛中500℃下被氮化,使用XRD、SEM对氮化后薄膜的物相组成、微观形貌进行了分析,并通过Hall测试系统对氮化后薄膜的电导行为进行了分析.结果表明,氮化得到了钙钛矿结构的Fe4-xGaxN,氮化后晶粒有轻微长大,Ga元素在薄膜中分布均匀;随着Ga含量的增大,薄膜的载流子浓度和电子迁移率都呈现出降低的趋势,电阻率逐渐增大.
关键词:
电子束蒸发沉积
,
Fe4-xGaxN
,
电阻率
