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纳米FinFET器件的单粒子效应研究

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.516

FinFET器件比主流CMOS技术表现出更多优势，如快速、高集成度、低功耗、多功能性和强扩展性，基于ISE TCAD，考虑迁移率、量子效应、载流子重组、辐射效应等的影响，建立了一种纳米FinFET器件SEE的3D仿真模型。分析了工艺掺杂浓度、栅压、粒子能量、寄生电容及技术节点等对单粒子瞬态电流的影响，并探讨了其影响机制。基于此分析，找到了一些潜在的工艺加固技术，如降低源极掺杂浓度、增加漏极和衬底的掺杂浓度、减少粒子能量、降低栅压、优化寄生电容等。

关键词: FinFET , 单粒子效应 , 仿真 , 加固技术

纳米 MOSFET/SOI器件新结构

张正选 , 林成鲁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.024

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的新结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它们的性能进行了分析.

关键词: 纳米 MOSFET , SOI , 双栅 MOSFET , FinFET , SiGe/Si

体硅FinFET三维模拟

周华杰 , 徐秋霞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.002

利用三维模拟软件Davinci对体硅FinFET器件进行了详细的模拟.模拟结果显示体硅Fin-FET器件能够有效的抑止短沟道效应,具有驱动电流大、散热好、成本低等优点.为了获得好的亚阚值特性,Fin的厚度要比较薄,同时Fin的高度不能太低,以保持足够的高度来抑止短沟道效应.沟道可以采用低掺杂或未掺杂设计,从而减少沟道内杂质对载流子的散射作用和杂质涨落效应对器件性能的影响.另外,为了获得合适的器件阈值电压,体硅FinFET器件应当采用功函数在中间带隙附近的材料做栅电极,同时采用适当的功函数调节方法来获得合适的阈值电压.

关键词: 体硅 , FinFET , 新结构