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金属学报
DSC测试表明, Ga的形核过冷度随其熔体高温保温时间的延长而增大, 随熔体降温后保温时间的延长而减小, 表现出明显的滞后性. 通过对熔体温度与熔体中原子团尺寸之间关系的热力学和动力学研究, 得到了金属熔体原子团中的原子数随温度变化的关系式, 获得了确定熔体温度变化后其形核温度变化滞后幅度的方法, 确定的Ga的形核温度变化滞后幅度与实验结果相吻合, 其误差只有3.9%-4.8%.
关键词:
Ga
,
melt
,
nucleation undercooling
,
atom cluster size
,
hysteresis
王慧
,
薛松柏
,
陈文学
,
马秀萍
稀有金属材料与工程
采用侵蚀失重法研究Ga、Al对Sn-9Zn钎料在3.5%NaCl水溶液中耐腐蚀性的影响.结果表明,添加Ga元素后,腐蚀产物的粘附性提高,均匀覆盖在钎料表面上,提高了钎料的耐蚀性能;添加Al以后,Zn和Al被选择性腐蚀,腐蚀随着Al含量的增加而加剧.采用热重分析(TGA)和俄歇电子能谱(AES)研究Ga、Al对Sn-9Zn钎料高温抗氧化性的影响.结果表明,Ga可在钎料表面形成一层集肤层;Al可在钎料表面形成一层致密的氧化膜,两者均可阻挡空气中的氧向钎料内部扩散,从而大大改善钎料的高温抗氧化性.
关键词:
Ga
,
Al
,
Sn-Zn
,
无铅钎料
,
耐腐蚀性
,
高温抗氧化性
裴素华
,
黄萍
,
程文雍
稀有金属材料与工程
利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品.实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄膜覆盖下的扩散,大幅度提高了器件耐压水平与综合电学性能;IC-VCE中的负阻效应是由Ga原子表面浓度经二次氧化变为耗尽状态所致,对此,可采用Si3N4/SiO2/Si复合结构加以改善;总之,开管扩镓是一种制备高压器件不可比拟的新途径.
关键词:
Ga
,
浓度梯度
,
SiO2
,
器件耐压
,
负阻效应
文九巴
,
王国伟
,
马景灵
,
贺俊光
,
史志红
材料热处理学报
在三元Al-Zn-Sn系铝基合金中添加了一定量的Ga(0.01%～0.02%),采用恒电流法测定了Ga加入前后的合金电化学性能变化,通过金相显微镜和扫描电镜(SEM)观察阳极合金的微观组织特征.结果表明:合金中添加Ga能使开路电位、工作电位负移,电流效率提高;Ga加入量为0.015%时电流效率达到97.4%,腐蚀形貌均匀,表现出优良的综合电化学性能.通过极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)手段,对Ga活化前后的Al-Zn-Sn系合金的活化过程进行了初步分析.
关键词:
Al-Zn-Sn合金
,
Ga
,
电化学性能
,
电化学阻抗谱
韩红民
,
王国伟
,
任伟
材料保护
为了提高Al—Zn—Sn-Bi合金牺牲阳极的电化学性能，通过不同方式添加Ga和稀土元素Ce，熔炼了Al-Zn—Sn—Bi（1号），Al-Zn—Sn—Bi—Ce（2号），Al-Zn—Sn—Bi—Ga（3号），Al-Zn-Sn-Bi—Ga-Ce（4号）4种阳极合金，分析了4种阳极合金在人造海水中的开路电位、电流效率、腐蚀均匀性、腐蚀产物黏附状态等电化学性能，并通过阳极合金的微观形貌及其在3．5％NaCl溶液中的极化曲线、电化学阻抗谱分析了添加Ga，Ce对阳极合金电化学性能的作用机制。结果表明：同时添加Ga和Ce的Al-Zn—Sn-Ga-Bi-Ce电流效率达96．7％，综合电化学性能明显改善；Al-Zn-Sn-Bi和Al-Zn-Sn-Bi-Ce合金阳极的活化机理可用Rs[CcoxRcox（QR1）（L1Rad1）（L2Rad2）]等效电路表示，Al-Zn-Sn-Bi-Ga和Al-Zn—Sn—Bi-Ga-Ce合金阳极的活化可用Rs[QR1（G1RW1）（C2Rw2）（LRad）]等效电路表示。
关键词:
牺牲阳极
,
Al-Zn-Sn—Bi合金
,
稀土Ce
,
Ga
,
电化学性能
,
活化机理
裴素华
,
黄萍
,
程文雍
稀有金属材料与工程
通过原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻(SRP)等方法对Ga在SiO2薄层、SiO2-Si界面的扩散特性进行测试表征与机理分析.其结果表明:源于H2和Ga2O3高温反应新生成的元素Ga,经SiO2薄层的快速吸收和输运,到达SiO2-Si的界面,其吸收-输流量在确定的扩散条件下正比于掺杂时间:Ga在SiO2-Si界面按照固-固扩散原理和凭借在Si内有较高溶解度特性实现了Si体内有效扩散;上述两者的有机结合,使Ga原子通过理想表面扩入硅体,从而得到高均匀性、高重复性的扩散结果.
关键词:
Ga
,
SiO2
,
SiO2-Si界面
,
吸收和输运
,
固-固扩散
裴素华
,
黄萍
,
张美娜
,
江玉清
稀有金属材料与工程
利用开管扩Ga进行低浓度掺杂-长时间结深推移-浓度补偿与再分布方法形成Ga的阶梯式深结分布,用于普通晶闸管制备.实验与理论表明:J1和J2结附近Ga的较小浓度梯度aj保证器件具有较高阻断耐压特性;J3结附近Ga的浓度平缓分布,改善了器件触发参数的分散性;P2区内Ga较高的电导率-σ和J3结较大的注入比,同步协调和提高了器件的通态特性与动态特性.
关键词:
Ga
,
阶梯式分布
,
晶闸管
,
电学性能
耿浩然
,
王桂珍
,
亓效刚
,
王致明
,
王学亮
稀有金属材料与工程
采用改进的阿基米德法对Ga熔体的密度值进行了升温和降温过程测定分析.试验结果表明,升、降温时Ga熔体的密度值在熔点附近都出现异常变化,出现了热缩冷胀的现象,并讨论了密度值变化对黏度特性的影响.从熔体液.液结构转变的角度,对密度的不连续性进行了分析讨论.
关键词:
Ga
,
密度
,
黏度
,
熔体
,
液态结构
刘秀喜
,
王公堂
稀有金属材料与工程
依据Ga在Si中的扩散行为、开管扩Ga系统的特征及扩Ga样品的XPS、EPMA和R<,s>的测试结果分析,提出了Ga在裸Si系的扩散模型,并从机理上分析了Ga的掺杂效应.结果表明:Ga在裸Si系下扩散,易产生合金点、腐蚀坑和"白雾"等缺陷,并造成R<,s>值不均匀.扩Ga产生的缺陷与硅片的导电类型、电阻率大小、晶向和表面光洁度无关.
关键词:
Ga
,
裸Si系
,
扩散模型
,
掺杂效应
