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肖洪地 , 马洪磊 , 薛成山 , 马瑾 , 宗福建 , 张希键 , 计峰 , 胡文容
功能材料
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
关键词: Ga2O3粉末 , GaN粉末 , 氮化温度
