赵翠俭
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孙素静
材料导报
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一.采用金属有机化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固相.采用场发射扫描电子显微镜和微区光荧光谱仪等测试分析手段研究了AlGaAs壳材料横向、轴向和生长方向的均匀性,探讨了生长机制对均匀性的影响.在此基础上获得了组分均匀的高晶体质量的AlGaAs壳材料,其Al组分为0.14.
关键词:
纳米线
,
均匀性
,
GaAs-AlGaAs
,
芯-壳结构
,
金属有机化学气相沉积
田彦宝
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吉元
,
王俊忠
,
张隐奇
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关宝璐
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郭霞
,
沈光地
功能材料
采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30～40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.
关键词:
电子背散射衍射(EBSD)
,
微区应力
,
GaAs-AlGaAs
