李永平
,
田强
,
牛智川
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.06.018
利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响.发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体质量最佳.
关键词:
光电子学
,
深能级瞬态谱
,
深能级缺陷
,
Si夹层
,
GaAs/AlAs异质结
