李娜
,
李宁
,
陆卫
,
刘兴权
,
窦红飞
,
沈学础
,
Fu Lan
,
Tan H H
,
Jagadish C
,
Johnston M B
,
Gal M
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.007
摘要 本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进 行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对 禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量(5× 1014～5×1015～cm-2)的增加从766～nm持续蓝移至753～nm，光响 应峰值波长从8.2～μm移至10.3～μm。
关键词:
质子注入
,
快速退火
,
GaAs/AlGaAs
,
量子阱
王惟林
,
刘训春
,
魏珂
,
郭晓旭
,
王润梅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.011
选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步.由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究.虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强反应离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能.感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在GaAs器件的制造中有突出的优点.本工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究,GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1,取得较理想的刻蚀结果.
关键词:
GaAs/AlGaAs
,
ICP
,
选择刻蚀
