李志成
,
刘路
,
吴昕
,
贺连龙
,
徐永波
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.05.012
利用低载荷Vickers压痕的方法在GaAs单晶中诱发微裂纹,通过透射电子显微镜和高分辨电子显微镜对裂纹尖端进行了观察结果表明,裂纹尖端前沿诱发了位错;沿着裂纹扩展方向出现了晶格扭曲,进而产生局部的无序化结构;无序化结构的扩大与连接形成具有1-2 nm宽度的非晶窄带.裂纹在非晶窄带中萌生,并沿着非晶带扩展.弯曲的裂纹表面和具有一定宽度的裂纹尖端说明,裂纹的扩展并不是沿着某特定的原子面原子键脱开,而是在非晶窄带中由结合键较弱的原子之间的断键并相互连接的结果.
关键词:
GaAs单晶
,
低载荷压痕
,
裂纹尖端与裂纹扩展
,
电子显微技术
李志成
,
刘路
,
吴昕
,
贺连龙
,
徐永波
金属学报
利用低载荷Vickers压痕的方法在GaAs单晶中诱发微裂纹,通过透射电子显微镜和高分辨电子显微镜对裂纹尖端进行了观察结果表明,裂纹尖端前沿诱发了位错;沿着裂纹扩展方向出现了晶格扭曲,进而产生局部的无序化结构;无序化结构的扩大与连接形成具有1-2 nm宽度的非晶窄带.裂纹在非晶窄带中萌生,并沿着非晶带扩展.弯曲的裂纹表面和具有一定宽度的裂纹尖端说明,裂纹的扩展并不是沿着某特定的原子面原子键脱开,而是在非晶窄带中由结合键较弱的原子之间的断键并相互连接的结果.
关键词:
GaAs单晶
,
null
,
null
王思爱
,
苏小平
,
张峰燚
,
丁国强
,
涂凡
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.04.010
坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩阶段,坩埚锥角为60°,90°,120° 3种情况下,晶体生长的固液界面均凹向熔体,随坩埚锥角α的增大,接触角θ变小,非均匀形核几率增加,易诱发孪晶和多晶.根据热量传输分析,在晶体生长的转肩阶段,随坩埚锥角α的增大,沿轴向传走的热量减小,径向传走的热量增加,增大了径向的温度梯度,造成凹的生长界面,导致三相点处过冷度的增加,也增大了孪晶及多晶产生的几率.而在等径生长部分由于远离了坩埚直径增加的区域,坩埚锥角对成晶率的影响较小.考虑到晶体生长的效率,为获得较长的等径部分,需要设计合适的坩埚锥角.选取了90°的坩埚锥角,模拟及实验均证实这一角度即能有效提高单晶成晶率,又能保证一定的晶体生长效率,并生长出直径4英寸的VGF GaAs单晶.
关键词:
坩埚锥角
,
GaAs单晶
,
数字模拟
