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GaN/SiC异质结正向恢复行为的数值模拟

赵少云 , 韦文生

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.08.032

利用Matlab编程模拟仿真了GaN/SiC异质结的正向恢复过程.讨论了GaN/SiC异质结的模型,分析了异质结的外因(外加电流变化率、温度等)及内因(N区掺杂浓度、电子迁移率等)对异质结正向峰值电压和正向恢复时间的影响,对比了GaN/6H-SiC、GaN/4H-SiC、GaN/3C-SiC三种异质结的正向恢复过程.结果表明,前述内、外因素对GaN/SiC异质结的正向恢复有明显影响,可通过调节各参数以优化GaN/SiC异质结的正向恢复过程.

关键词: GaN/SiC异质结 , 正向恢复 , 峰值电压 , 正向恢复时间 , 数值模拟