李述体
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莫春兰
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李鹏
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王立
,
熊传兵
,
彭学新
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022
对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制.
关键词:
MOCVD
,
GaN:Si
,
光致发光
