宋建全
,
刘正堂
,
郭大刚
,
耿东生
,
郑修麟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2001.10.008
利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构.设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果.制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.
关键词:
GaP薄膜
,
射频磁控溅射
,
增透保护膜系
