练小正
,
李璐杰
,
张志鹏
,
张颖武
,
程红娟
,
徐永宽
人工晶体学报
采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成.通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶.此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm-2;同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27 arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm2/V·s,载流子浓度达到了1.68×1017cm-3.
关键词:
GaSb
,
垂直布里奇曼法
,
位错密度
,
覆盖剂
郝瑞亭
,
郭杰
,
刘颖
,
缪彦美
,
徐应强
人工晶体学报
利用分子束外延方法(MBE)在GaAs (001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量.
关键词:
GaSb
,
热光伏电池
,
分子束外延(MBE)
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
功能材料
采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
厚度
黎建明
,
屠海令
,
郑安生
,
邓志杰
,
罗志强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.001
采用 LEC 方法研制出掺锌(100) GaSb 单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数 keff 约为 0.84±0.01,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高,位错密度缓慢增加,数值约为 (2～3.2)×103cm-2,当掺锌浓度大于 3×1019cm-3 以后, GaSb 发生简并,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高.采用重掺锌母合金作掺杂剂,可减少锌的损失,较好地控制掺杂浓度.
关键词:
GaSb
,
有效分凝系数
,
位错密度
,
简并
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
稀有金属材料与工程
研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺.为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层,有效降低了外延层中的位错密度,提高了晶体质量.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数:厚度为20 nm,生长速率为1.43 μm/h,Ⅴ/Ⅲ束流比为2.0.并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性:GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子(BE4)和施主一受主对(D-A)辐射复合发光峰组成,在50 K时其发光峰强度最强,半峰宽最窄.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
发光特性
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
功能材料
用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件.为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温(LT)GaSb作为缓冲层,研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响,并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1.43μm/h时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
生长速率
郝瑞亭
,
申兰先
,
邓书康
,
杨培志
,
涂洁磊
,
廖华
,
徐应强
,
牛智川
功能材料
利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好.
关键词:
GaSb
,
GaAs
,
分子束外延(MBE)
黎建明
,
屠海令
,
郑安生
,
罗志强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.004
采用 LEC 工艺,通过特殊的过滤措施,可以批量拉制重掺碲的 GaSb 单晶材料.计算结果表明,在该生长系统及工艺条件下,碲在 GaSb 中的有效分凝系数约为0.38.GaSb 单晶 EPD 测试表明:EPD 沿径向分布呈"W"型,数量约为1×103cm-2;沿晶体生长方向(100)变化不大.
关键词:
GaSb
,
有效分凝系数
,
EPD
K.W. Richter
,
H. Ipser
金属学报(英文版)
The development of well defined and thermally stable ohmic contacts for Ⅲ- Ⅴ semi-conductors like InSb and GaSb is still a challenging problem in semiconductor devicetechnology. As device processing usually includes the exposure to elevated tempera-tures, interface reactions often occur during metallization and further heat treatment.It is thus important to understand the respective phase equilibria of the involved el-ements. From the thermodynamic point of view, binary and ternary compounds inequilibrium with the respective compound semiconductor would be the best choice forcontact materials as these contacts will be stable even after long exposure to elevatedtemperatures. These possible candidates for contact materials may be directly obtainedfrom the phase diagrams.During the last years we investigated several phase diagrams of transition metals withGaSb and InSb. Experimental results in the systems Ga-Ni-Sb, Ga-Pd-Sb, Ga-Pt-Sb,In-Ni-Sb and In-Pd-Sb are summarized and are discussed in the context of contactchemistry.
关键词:
contact material
,
null
,
null
,
null
