李林
,
王勇
,
刘国军
,
李梅
,
王晓华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.032
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控.通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率.实验测量GaSb的生长周期为1.96s,每秒沉积0.51单分子层.低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量.
关键词:
GaSb薄膜
,
反射式高能电子衍射仪
,
分子束外延
,
低温缓冲层
,
表面结构
