王新华
,
古山贞夫
,
福泽章
金属学报
用示差热分析(DTA)和X射线衍射(XRD)方法测定Na_2O—Ga_2O_3(>50mol％Ga_2O_3)系相平衡图结果表明,该二元系中有Na_2OGa_2O_3,2Na_2O 3Ga_2O_3,Na_2O 3Ga_2O_3和Na_2O 5Ga_2O_3四个中间化合物2Na_2O 3Ga_2O_3在温度高于976±8℃时分解为Na_2O Ga_2O_3和Na_2O 3Ga_2O_3 Na_2O Ga_2O_3,Na_2O 3Ga_2O_3和Na_2O 5Ga_2O_3均为异分熔化化合物,其熔化分解温度分别为1382±1℃,1285±5℃和1417±4℃给出了新发现的化合物2Na_2O·3Ga_2O_3和Na_2O_3 Ga_2O_3的X射线衍射特征数据
关键词:
Na_2O
,
Ga_2O_3
,
Na_2O·Ga_2O_3
,
2Na_2O·3Ga_2O_3
,
Na_2O·3Ga_2O_3
,
Na_2O·5Ga_2O_3
,
phase relation
,
phase diagram
,
null
,
null
,
null
,
null
杜江锋
,
赵金霞
,
于奇
,
杨谟华
材料导报
采用X射线光谱R(XPS)和椭偏测试仪(SE)对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究.当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时,XPS测试结果表明,所得氧化物类型为Ga_2O_3,且由于大量O空位的存在,其表面Ga/O比率约为1.2.SE测试结果表明,GaN线性氧化速率约为40nm/h,呈抛物线生长,最终平均氧化速率约为25nm/h.在300～800nm测试范围内,Ga_2O_3折射率为1.9～2.2,与文献测试结果相符.但在300～400nm测试范围内存在反常色散现象,这与GaN在此波段的强吸收有关.
关键词:
GaN
,
热氧化
,
Ga_2O_3
,
XPS
,
SE
