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Ga掺杂前后LaCoO3的电子结构研究

王敏娣 , 毋志民 , 胡爱元 , 崔玉亭 , 徐建

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.024

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,结合局域自旋密度近似和 Hubbard U 修正,对不同Co离子自旋态下及Ga掺杂LaCoO3的超晶胞体系进行了几何结构优化,计算并分析了它们的电子结构。结果表明,当Co离子处于低自旋态时,LaCo O 3为非磁绝缘性的绝缘体;当 Co 离子被激发到中间自旋态时,由于强烈的p-d轨道杂化作用,LaCo O 3转变成一个有磁性的半金属体;当Co离子处于高自旋态时,体系呈现金属铁磁性,磁矩由中间自旋态的0.91μB 增大到高自旋态的2.2μB。Ga掺杂后,体系的Co3d态电子和 Ga4p态电子以及 O2p 态电子在费米能级附近发生p-d轨道杂化,引入杂质带,形成受主能级,使体系的导电能力增强,体系呈现半金属铁磁性,其净磁矩为4.01μB。

关键词: Ga掺杂LaCoO3 , Co3+自旋态 , 电子结构 , 第一性原理

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