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提高YBCO薄膜高场性能的研究

叶帅 , 索红莉 , 吴紫平 , 刘敏 , 徐燕 , 马麟

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00765

采用低氟的金属有机盐沉积技术(MOD)在LAO单晶上制备了Gd和Zr掺杂的YBCO薄膜,并分析了不同掺杂对YBCO薄膜在外加磁场下的Jc的影响.研究发现,采用Gd部分取代YBCO薄膜中的Y元素,可以有效地提高YBCO薄膜高场下的Jc值,但对于低场下的Jc值影响不大;而采用过量Gd掺杂YBCO薄膜,可以有效地提高YBCO薄膜在低场下的Jc值,但对于高场下的Jc值影响不大.而Zr掺杂可以有效地提高YBCO薄膜在低场和高场下的Jc值.最后,结合Gd取代和Zr掺杂两种方式,有效地提高了YBCO薄膜的场性能,其最大钉扎力(Fp(Max))达到了16GN/m3,比纯的YBCO薄膜(4.0 GN/m3)提高了约3倍;在磁场为3T和7T下,其Jc值分别为1.31MA/cm2和87.7kA/cm2.

关键词: MOD , Gd取代 , Zr掺杂 , YBCO薄膜

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