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溅射Ar+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响

宋超 , 杨瑞东 , 冯林永 , 陈寒娴 , 邓荣斌 , 王国宁 , 杨宇

功能材料

采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜.用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系.在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜.通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化.

关键词: 离子束溅射 , Ge薄膜 , Ar+能量 , 结晶性

磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究

高立刚 , 陈刚 , 邓书康 , 陈亮 , 阚家德 , 俞帆 , 杨宇

功能材料

采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.

关键词: Ge薄膜 , XRD , Raman散射光谱 , 晶粒尺寸 , 声子限域理论

两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响

关中杰 , 靳映霞 , 王茺 , 叶小松 , 李亮 , 杨宇

人工晶体学报

采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响.实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大.在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层.Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm.

关键词: Ge薄膜 , 低温Ge缓冲层 , 射频磁控溅射

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