宋超
,
杨瑞东
,
冯林永
,
陈寒娴
,
邓荣斌
,
王国宁
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜.用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系.在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜.通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化.
关键词:
离子束溅射
,
Ge薄膜
,
Ar+能量
,
结晶性
高立刚
,
陈刚
,
邓书康
,
陈亮
,
阚家德
,
俞帆
,
杨宇
功能材料
采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.
关键词:
Ge薄膜
,
XRD
,
Raman散射光谱
,
晶粒尺寸
,
声子限域理论
关中杰
,
靳映霞
,
王茺
,
叶小松
,
李亮
,
杨宇
人工晶体学报
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响.实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大.在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层.Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm.
关键词:
Ge薄膜
,
低温Ge缓冲层
,
射频磁控溅射