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Electrical properties of HfTiO Gate Dielectric Ge MOS capacitors with wet-No surface pretreatment

ZOU Xiao , XU Jing-ping

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.015

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/37/5/054004

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