杨杰
,
王茺
,
欧阳焜
,
陶东平
,
杨宇
人工晶体学报
采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜,研究了沉积温度和生长停顿对Ge/Si多层膜结晶性和界面结构的影响.通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究,发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜.这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有效的方法.
关键词:
离子束溅射
,
Ge/Si多层膜
,
沉积温度
,
生长停顿
周湘萍
,
毛旭
,
张树波
,
杨宇
功能材料
用Raman光散射的方法,观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的备Raman峰的变化,对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析.实验结果显示:Ge/Si多层膜经700℃热处理10min后,能改善各层的晶体质量,得到较完整的多层膜的结构.
关键词:
Raman光谱
,
Ge/Si多层膜
,
退火
