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杨瑞东 , 陈寒娴 , 邓荣斌 , 孔令德 , 陶东平 , 王茺 , 杨宇
功能材料
采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜.
关键词: Ge/Si纳米多层膜 , 埋层 , 纳米晶粒
