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Ge1-xCx薄膜的制备及红外特性的研究

吴小文 , 张维佳 , 钟立志 , 黄浩

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.01.013

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备出Ge1-xCx薄膜,并系统地研究了工艺参数对薄膜成分的影响,以及不同组分Ge1-xCx薄膜的红外光学特性.结果表明,薄膜中的C含量随着CH4/GeH4气体流量比的增大而增大;薄膜的红外折射率随组分的不同在2~4范围内变化;薄膜的沉积速率随射频功率增大而增大,但当功率达到60 W以后其变化不明显;沉积速率随温度的增加而减少;该薄膜具有透长波红外的性能.

关键词: Ge1-xCx薄膜 , PECVD , 红外特性 , 沉积速率

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