顾四朋
,
侯立松
,
赵启涛
材料研究学报
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响. 薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变, 并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能. 根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
关键词:
无机非金属材料
,
Ge2Sb2Te5
,
Sn-doping
,
thermal phase-change
魏劲松
,
阮昊
,
干福熹
无机材料学报
采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge2Sb2Te5为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge2Sb2Te5的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge2Sb2Te5薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律.
关键词:
Ge2Sb2Te5
,
thin films
,
crystallization
,
pulsed laser
,
super-saturation degree
徐成
,
刘波
,
冯高明
,
吴良才
,
宋志棠
,
封松林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.009
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能.结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阚值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度.
关键词:
Sn掺杂
,
Ge2Sb2Te5
,
相变存储器
,
器件单元
,
存储性能
顾四朋
,
侯立松
,
赵启涛
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.02.013
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
关键词:
无机非金属材料
,
Ge2Sb2Te5
,
Sn掺杂
,
热致相变
,
结晶活化能
刘波
,
阮昊
,
干福熹
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.043
利用XRD研究了激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为,研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到FCC晶态结构的转变,从FCC到HCP的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比.Ge2Sb2Te5薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响.
关键词:
Ge2Sb2Te5
,
激光致相变
,
X射线衍射
,
面心立方
魏劲松
,
阮昊
,
干福熹
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.027
采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge2Sb2Te5为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge2Sb2Te5的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge2Sb2Te5薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律.
关键词:
Ge2Sb2Te5
,
薄膜
,
脉冲激光
,
晶化
,
过饱和度
汪昌州
,
翟继卫
,
姚熹
材料导报
相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器.简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变材料存储性能的优化、存储机理以及面临的关键问题等方面的最新研究成果,最后展望了相变存储材料的研究和发展趋势.
关键词:
相变存储器
,
相变存储材料
,
Ge2Sb2Te5
Ming FANG
,
Qinghui LI
,
Fuxi GAN
材料科学技术（英）
The optical absorption properties of phase-change optical recording thin films subjected to various initialization conditions were investigated. The effects of initialization power and velocity on optical constants of the Ge2Sb2Te5 thin films were also studied. The energy gap of Ge2Sb2Te5 thin films subjected to various initialization conditions was also obtained. It was found that the optical energy gap of the Ge2Sb2Te5 thin films increased with either increasing initialization laser power or decreasing initialization velocity, with peak of 0.908 eV at laser power of 1000 mW or initialization velocity of 4.0 m/s, but the continued increasing initialization laser power or decreasing initialization velocity resulted in the decrease of the optical energy gap. The change of the optical energy gap was discussed on the basis of amorphous crystalline transformation.
关键词:
Phase transformation
,
null
,
null
,
null
,
null
