孙华军
,
侯立松
,
吴谊群
,
魏劲松
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.005
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Tes非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(107～103Ω/口)的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数,在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n非晶态＞n中间态,k晶态＞k中间态＞k非晶态,α晶态＞α中间态＞α非晶态,结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.
关键词:
Ge2Sb2Te5薄膜
,
激光辐照
,
电/光性质
,
光学常数
,
相转变
谢泉
,
侯立松
,
干福熹
,
阮昊
,
李晶
,
李进延
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.05.011
研究了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数与波长关系的影响,结果表明,在波长小于500nm的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率n先增加然后减小,消光系数k则逐渐减小;在波长大于500nm的情况下,随溅射功率的增加折射率n逐渐减少,消光系数k先减小后增加.对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率n随溅射功率的增加先减小后增加,消光系数k则逐渐减少.薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小.讨论了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数影响的机理.
关键词:
溅射功率
,
Ge2Sb2Te5薄膜
,
光学常数
孙华军
,
侯立松
,
吴谊群
,
魏劲松
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01111
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化, 当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(107～103Ω/□)的突变; 对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试, 结果表明, 随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数, 在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n非晶态>n中间态>n晶态, k晶态>k中间态>k非晶态, α晶态>α中间态>α非晶态, 结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.
关键词:
Ge2Sb2Te5薄膜
,
laser-irradiation
,
electrical/optical properties
,
optical constants
,
phase change
