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硅锗合金氧化后生成的锗纳米结构的特性研究

黄伟其 , 蔡绍洪 , 刘世容

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.01.020

我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理,用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品,获得10～80nm厚的硅氧化层和1 nm厚的富锗层.新发现快速氧化生成的氧化膜表面有1～2 nm厚的锗层.分析了锗纳米结构对应的PL发光谱,注意到锗纳米层对应的541 nm波长的尖锐的发光峰和不同尺寸的锗原子团对应的从550～720 nm波长的发光带.从量子受限模型和局域密度泛函计算出发,合理地解释了实验的结果.

关键词: 光电子学 , 纳米结构 , Ge团簇 , 发光谱