刘昌龙
,
尹立军
,
吕依颖
,
阮永丰
,
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.031
40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌.结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量.结合TRIM程序计算结果对空腔和其它缺陷产生对He离子能量的依赖性进行了讨论.
关键词:
单晶Si
,
He离子注入
,
高温退火
,
He空腔
,
透射电子显微镜
潘小强
,
徐虬
,
杉浦悠作
,
横谷拓哉
,
义家敏正
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.10.001
在反应堆运行过程中,核材料中的He通过核反应产生,并对材料性能的影响较大.通常认为,He会造成材料强度的上升,韧塑性的下降.制备了不同变形量的仅含位错的纯铁样品,开展了He原子对于样品力学性能影响研究,并对影响机理进行了初步分析.结果表明,不同的变形量下,He的注入使得样品的拉伸强度或有所提升,或变化不大,但所有样品的延伸率均得到了不同程度的提高.该结果与通常认为的“氦脆”现象不相一致,由此可见,He并不总是降低金属材料的力学性能.
关键词:
纯铁
,
He离子注入
,
位错
,
力学性能
