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高k值HfO2栅介质材料电学特性的研究进展

田书凤 , 彭英才 , 范志东 , 张弘

材料导报

随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料.介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等.

关键词: 高介电常数 , HfO2栅介质 , 等效SiO2介电层厚度 , 电学特性