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ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

周咏东 , 方家熊 , 李言谨 , 龚海梅 , 汤定元

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.06.031

用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了ZnS的低温沉积.用 X射线光电子能谱(XPS)对上述ZnS薄膜以及热蒸发ZnS薄膜中的Zn、S元素的化学环境进行了对比实验研究.实验表明:离子束溅射沉积ZnS薄膜具有很好的组份均匀性,未探测到元素Zn、S的沉积.

关键词: ZnS , 离子束溅射沉积 , XPS , HgCdTe , 表面抗反射膜

HgCdTe液相外延薄膜组分分布和内波的产生

黄为民 , 王亚敏 , 魏彦锋

工程热物理学报

液相外延生长中的外延层晶体表面会出现波纹,大大降低了晶体的成材率.本文通过实验测量了同-HgCdTe外延薄膜在不同层厚时的红外透射光谱,证明在外延生长后期的相变层中存在分层流,正是分层流中的内波固化造成了外延层晶体表面的波纹.数学模型和量级估计很好地支持了外延生长中的内波成因论,指出固液密度梯度决定的分层流本征频率N、上下液层相对密度比σ对波纹的产生有决定性影响.

关键词: 液相外延 , HgCdTe , 波纹 , 分层流 , 内波

HgCdTe探测器应力的多重晶X射线衍射分析

孙涛 , 王庆学 , 陈文桥 , 梁晋穗 , 陈兴国 , 胡晓宁 , 李言谨 , 何力

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.007

HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介质膜应力进行了表征,发现在较高溅射能量下沉积的钝化膜,由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲,并有大量镶嵌结构,而在较低的溅射能量下和热蒸发下沉积的钝化膜,晶面未出现明显弯曲,可获得较低应力的钝化介质层.

关键词: HgCdTe , 应力 , 钝化 , 三重晶X射线衍射 , 倒易空间作图

在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体

蓝慕杰 , 叶水驰 , 鲍海飞 , 周士仁 , 姚枚

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.01.014

在横向磁场中用Bridgman法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势,在头部有三种类型的分布.磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变.当安瓿绕生长轴匀速旋转时,晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征,也没有常规Bridgman法生长晶体的径向对称性.尾部呈现圆锥状的凸起,可能是旋转生长抑制胞状结构的证据.

关键词: HgCdTe , Bridgman法 , 磁场 , 组分

CdTe介质膜与HgCdTe晶片间界面特性的研究

周咏东 , 赵军 , 李言谨 , 方家熊

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.02.022

利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面低温生长了CdTe介质薄膜.分别用CdTe介质膜和HgCdTe自身阳极氧化膜对HgCdTe表面钝化.利用光电导衰退信号波形的拟合,得到了不同表面钝化的HgCdTe非平衡载流子表面复合速度.结果表明,CdTe/HgCdTe界面质量已超过自身阳极氧化膜/HgCdTe界面质量.

关键词: CdTe , Ar+ , 束溅射沉积 , HgCdTe , 光电导衰退 , 表面复合速度

HgCdTe晶体ACRT-B法生长过程的分凝特性研究

介万奇

功能材料

在定量估算的基础上,明确了Hg1-xCdxTe晶体ACRT-B法生长过程轴向溶质再分配的简化条件,导出了计算公式.以HgTe-CdTe伪二元相图为基础进行的计算表明,按照远红外探测器要求的成分配料(x0=0.22),仅在晶锭的某一部分可获得符合成分容差的晶体.而采用其它相近的成分配比也能获得符合成分要求的晶体.采用x0值更小的配料成分获得的满足成分要求的晶段更长,并且位于结晶质量较高的晶锭前段.

关键词: HgCdTe , 生长 , 分凝

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