蒋婧思
,
李强
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163111.1055
为了在 TFT 工厂的设计、建设及运营阶段采取有针对性的节能降耗措施，有效降低器件制备过程中的能耗，本文根据我院多年从事 TFT 生产线节能评估工作的经验数据，针对不同技术路线，选取具有代表性的 TFT-LCD 及AMOLED 生产线，并对其能耗进行对比分析，以讨论不同技术路线对 TFT-LCD 及 AMOLED 显示器件生产能耗的影响。分析结果表明：阵列制备是最主要用能工序，其制备复杂程度可采用光罩次数(Mask)表征。随着光罩次数的增加，器件制造对电力、氮气、新鲜水等能源及耗能工质的需求呈急剧增长：采用10-13Mask 技术的 LTPS 及 AMOLED 显示器件，其综合能耗达到 a-Si 及 Oxide 技术路线的约350％之多；在不同技术路线下，电力均为最主要的用能需求，其消耗量占总能耗的80％~87％。能耗的增加导致用能成本的大幅上升。在国家大力提倡绿色经济的环境下，建议各大厂商采取科学有效的能耗管控措施，以降低能源消耗及用能成本，实现产业的健康可持续发展。
关键词:
TFT
,
LTPS
,
IGZO
,
AMOLED
,
综合能耗
,
单位产品能耗
梁朝旭
,
李帅帅
,
王雪霞
,
李延辉
,
宋淑梅
,
杨田林
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件.重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性、光电特性的影响以及厚度对薄膜电阻率的影响.制备的IGZO薄膜最高品质因子为1.94×10-3Ω-1,对应的薄膜电阻率和透过率分别为2.6×10-3Ω·cm和87.2％.
关键词:
磁控溅射
,
IGZO
,
非晶薄膜
,
透明导电膜
陈龙龙
,
张建华
,
李喜峰
,
石继锋
,
孙翔
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0796
讨论了基于柔性 PI 基底上的底栅型 TFT 器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文 TFT 器件是基于氧化物 IGZO 为有源层,栅绝缘层采用 Si3 N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过 SEM 断面观察,干刻后双层结构taper 角度适合 TFT 器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的 TFT 器件迁移率达到14．8 cm2/(V.s),阈值电压 V th 约0.5 V,亚域值摆幅 SS 约0．5 V/decade,TFT 器件的开关比 I on/I of ＞106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED 或电子纸的驱动要求。
关键词:
柔性
,
薄膜晶体管
,
铟镓锌氧化物
,
迁移率
