马瑞新
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李士娜
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锁国权
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任磊
材料科学与工艺
为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明：随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为（222）面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了＂蓝移＂或＂红移＂.
关键词:
ITO薄膜
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偏压
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生长模式
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微观结构
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光电性能
郭战营
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许安涛
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张庆丰
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郜小勇
人工晶体学报
本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响.研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势.对沉积速率对样品性能的影响进行了研究,结果表明沉积速率降低有利于样品性能的改善.
关键词:
ITO薄膜
,
电子束蒸发
,
性能
,
禁带宽度
汪莹莹
,
魏取福
,
李琪
,
王静
材料导报
采用低温磁控溅射技术在涤纶纺粘非织造布表面沉积ITO(Indium Tin Oxide,铟锡氧化物)薄膜,利用原子力显微镜(AFM)观察ITO纳米薄膜在纤维表面沉积的微观结构,并较为系统地分析了溅射时间、溅射功率、氧气流量、气体压力以及基底温度对ITO透明导电薄膜微结构的影响.得到以下结论:沉积时间的长短、工作气体压力的大小对成膜的均匀性有很大影响;较高的射频溅射功率将导致纳米颗粒因团聚而增大;而氧气流量的大小则影响着颗粒结晶程度的好坏和晶粒尺寸的大小;基底温度升高则会导致颗粒产生热迁移现象.
关键词:
ITO薄膜
,
涤纶衬底
,
磁控溅射
,
工艺参数
,
AFM
张楠
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刘家祥
,
曾胜男
稀有金属材料与工程
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜.研究了不同Sn掺杂量5%～20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响.用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜,样品的光电性能,并对其进行X射线衍射分析.结果表明:当Sn掺杂量为10%时薄膜的方电阻最小,为153 Ω/□,不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构;薄膜在可见光区平均透过率≥82%.基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析,研究了ITO薄膜的结构特性,并讨论了薄膜的导电机制.结果表明:胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子.通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明,薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁,且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势,在Sn掺杂量为15%时为最大值3.65 eV.
关键词:
ITO薄膜
,
胶体法
,
掺杂
,
导电机制
,
光学能隙
张波
,
董显平
,
徐晓峰
,
赵培
,
吴建生
中国有色金属学报
利用磁控溅射在室温条件下沉积ITO薄膜和ITO-Zr薄膜,对比研究在空气中退火处理对ITO和ITO-Zr薄膜性能的影响.结果表明,Zr的掺杂促进了(400)晶面的取向,随着退火温度的升高,薄膜表面颗粒增大,表面粗糙度有所降低.室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,随着退火温度的升高,ITO和ITO:Zr薄膜的方阻都表现为先降后升的趋势,ITO-Zr薄膜在较低的退火温度下可见光透过率就可达到80%以上,直接跃迁模型确定的光学禁带宽度Eg呈现了先升后降的变化.ITO:Zr薄膜比ITO薄膜显示了更高的效益指数,揭示了ITO-Zr薄膜具有更好的光电性能.
关键词:
ITO薄膜
,
磁控溅射
,
退火处理
,
光电性能
杨盟
,
刁训刚
,
刘海鹰
,
武哲
,
舒远杰
功能材料
利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,分别采用两种方法对薄膜进行氮化处理,即:(1)利用氩气溅射在室温下制备薄膜,随后在氮气和氨气气氛下对薄膜进行热处理;(2)利用氩气/氮气共溅射成膜.利用X射线衍射、霍尔效应、UV-vis-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,对比研究了两种氮化处理方法对ITO薄膜光电特性的影响.结果发现对于低温生长的薄膜,两种方法均能明显提高其在可见光区的透过率.氩气/氮气共溅射的方法会降低薄膜的结晶程度,降低载流子浓度,但使得其紫外/可见/近红外光谱发生明显红移;而热处理方法则能增加薄膜的结晶程度,提高其导电能力.
关键词:
射频磁控溅射
,
氨气和氮气气氛下热处理
,
氮气共溅射
,
ITO薄膜
李世涛
,
乔学亮
,
陈建国
中国有色金属学报
将In2O3和SnO2粉末按质量比1:1热压烧结制成靶材,采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜.实验结果表明:氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVIL有着重要的影响,其最佳值为0.2Pa.ITO膜的方阻、TVIL和颜色与膜厚有着密切的关系. 提高基体温度ts可以改善薄膜的性能,在ts为200℃时,ITO薄膜的TVIL达到90%以上(含玻璃基体),方阻为13.1Ω/□. 根据薄膜生长的3个阶段理论,建立了薄膜厚度与电阻率的关系:在ITO薄膜生长过程中,依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及Cottey模型导电机理. 由实验结果求得了临界厚度dc约为48～54nm,AFM表征结果进一步表明ITO薄膜随着厚度增加表现出不同的导电机理和尺寸效应.
关键词:
ITO薄膜
,
磁控溅射
,
氩气压强
,
基体温度
,
导电机理
职利
,
徐华蕊
,
周怀营
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.016
采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响.结果表明:溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大.当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω·cm.
关键词:
直流磁控溅射
,
ITO薄膜
,
氩气压强
,
电导率
,
透过率
