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热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究

闵嘉华 , 桑文斌 , 刘洪涛 , 钱永彪 , 滕建勇 , 樊建荣 , 李万万 , 张斌 , 金玮

稀有金属材料与工程

对电阻率为103~6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为108~9Ω·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理.结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级.非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10-4 Pa,退火时间达48 h后,电阻率可以提高到2.6×109Ω·cm.

关键词: CdZnTe热处理 , Cd/Zn平衡分压 , In扩散

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