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Zn、Pr共掺In2O3陶瓷材料的高温热电传输性能

成波 , 刘勇 , 刘大博 , 林元华 , 南策文

功能材料

利用放电等离子SPS烧结工艺制备得到Zn、Pr共掺的In2O3多晶陶瓷材料。通过研究材料的热电传输性能和微观结构,发现共掺工艺对SPS烧结的In2O3陶瓷材料的传输性能有着显著的影响,其结构为多孔结构。低浓度共掺的样品在测试温度范围内能够得到较高的电导率(约100S/m)和热电势(约200μV/K)。其中试样In1.92(Pr,Zn)0.08O3的热导率973K最低为2.5W/(m.K),该样品可获得最高的热电功率因子3.5×10-4 W/(m.K2),对应其热电优值0.10。其性能表明利用放电等离子SPS烧结工艺制备的In2O3基陶瓷作为n型高温热电材料具有很好的潜力。

关键词: 热电 , In2O3 , 电学传输 , 热导率

Porous Cube-like In2O3 Nanoparticles and Their Sensing Characteristics toward Ethanol

Chih-Chia HUANG , Chen-Sheng YEH

材料科学技术(英)

Porous cube-like crystalline In2O3 nanoparticles with an average diagonal length of 34.8 nm were fabricated by a laser ablation-reflux process to form In(OH)3, followed by a calcination treatment to yield porous In2O3. HRTEM (high-resolution transmission electronic microscopy), XRD (X-ray diffraction), BET (Brunauer-Emmett-Teller), and XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis were used to characterize their crystalline structures, grain sizes, surface areas, and surface compositions. The as-prepared porous indium oxides were tested for their sensing properties toward ethanol. Non-porous In2O3 nanopowder (about 40 nm) was also examined in order to compare the results with the as-prepared porous In2O3 nanomaterials. The porous In2O3 exhibited much better performance than that of non-porosus In2O3, and showed enhanced sensitivity with a lower detection limit than other reported In2O3-based materials when exposed to ethanol. Good gas sensitivity and linear behavior as a function of ethanol concentration were observed in the porous In2O3 nanoparticles.

关键词: In2O3 , porosity , nanoparticles , gas , senso

氮化铟粉末在N2气中的热稳定性

王福学 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 艾玉杰 , 孙丽丽 , 杨兆柱

稀有金属材料与工程

用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N2气中的热稳定性进行了分析.结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被氧化;但当温度增加到800℃时,一部分InN粉末分解成In和N2;一部分InN粉末转变成In2O3粉末.

关键词: 热稳定性 , N2 , InN粉末 , 分解 , In2O3

In(OH)3和In2O3微米立方的简易合成及其气敏性能

刘继江 , 陈刚 , 于耀光 , 吴亚林 , 周明军

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.Supplement(Ⅱ).029

利用水热法,在没有表面活性剂和有机溶剂的情况下,在一定pH值下合成In(OH)3微米立方。通过在400℃煅烧In(OH)3前驱体,制备In2O3微米立方。所制备的In2O3保持In(OH)3微米立方的结构和形貌,但在煅烧中,由于脱水, In2O3微米立方有轻微的变形。采用X射线衍射仪、扫描电镜和热重分析对所制备样品的相成分、形貌和热性能进行表征。在最佳工作温度275℃下,评估In2O3微米立方对H2、CO、CH4、C2H5OH和CO2的气敏性能。测试结果表明, In2O3微米立方对C2H5OH有良好的气敏性能。最后,对In2O3微米立方的敏感机理进行讨论,可知In2O3微米立方除了作为气敏材料,也可用于微电子和光电子器件材料。

关键词: In2O3 , In(OH)3 , 微米立方 , 气敏性

烧结气氛和温度对In2O3和SnO2及其混合粉烧结行为的影响

李晏平 , 刘志宏 , 李玉虎 , 刘智勇 , 李启厚

中国有色金属学报

采用XRD、SEM和XRF等表征方法研究In2O3、SnO2及其混合粉(In2O3与SnO2质量比为9:1)在N2、空气及O2气氛下于1300~1600℃烧结过程中的粉末分解质量损失、反应固溶、新相生成及孔洞形成等行为,以期为高密度铟锡氧化物(ITO)靶材制备奠定基础。结果表明:在1300~1600℃高温烧结中,In2O3和SnO2均分解升华, SnO2较In2O3更易于分解,增大烧结气氛的氧分压,有利于抑制分解反应的发生;在O2气氛下,ITO粉在1500℃开始显著分解产生质量损失;ITO粉在N2、空气和O2气氛中于1300℃下烧结4 h,样品中均存在SnO2相;于1400℃下烧结4 h,SnO2相消失,In4Sn3O12相出现;随着烧结温度的进一步升高,In4Sn3O12分解消失,其分解温度随烧结气氛氧分压增大而提高;在O2气氛下烧结,所得ITO粉晶格常数最低,且较为稳定,颗粒收缩较均匀,有利于高密度ITO靶材制备。

关键词: In2O3 , SnO2 , 烧结行为

氮化铟粉末的热稳定性

王福学 , 薛成山 , 庄惠照 , 艾玉杰 , 孙丽丽 , 杨兆柱 , 张晓凯

稀有金属材料与工程

用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究.结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;但当温度超过500℃时,InN很容易被氧化;当温度增加到600℃时,InN被完全氧化成In2O3.

关键词: 热稳定性 , InN , In2O3

透明导电氧化物薄膜的研究进展

王敏 , 蒙继龙

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2003.01.002

综述了TCO薄膜的研究进展和应用前景.ITO薄膜是目前应用最广泛的薄膜,AZO薄膜是研究的热点,具有替代ITO薄膜的潜能.TCO薄膜因具有优异的光电性能而被应用在各种光电器件中,例如,平面液晶显示器,太阳能电池等.随着TCO薄膜制备方法的不断改进、成熟以及聚合物基TCO薄膜的开发,TCO薄膜将具有更广阔的应用和发展空间.

关键词: TCO , SnO2 , In2O3 , ZnO , 制备方法 , 应用前景

In2O3基酒敏材料的催化及气敏性能

常剑 , 詹自力 , 蒋登高 , 高金森

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.011

采用微反-气相色谱联用装置和气敏性能测试设备,系统评价了不同粒径、不同掺杂的Ia2O3材料对乙醇的催化、气敏性能.研究表明,采用纳米材料可将乙醇灵敏度由6.0提高到16.0,掺杂碱性金属氧化物将灵敏度提高到14.0;掺杂贵金属可大幅度提高材料对乙醇的催化活性,但降低对乙醇的灵敏度.材料的气敏性能和催化性能存在密切的联系,浅析了材料对乙醇的敏感机理.

关键词: In2O3 , 气敏材料 , 催化性能 , 气敏性能

磁控溅射气体参数对氧化铟薄膜特性的影响

才玺坤 , 原子健 , 朱夏明 , 张兵坡 , 邱东江 , 吴惠桢

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响.X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大.1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm2/V·s和1.19×1019cm-3.用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm-3,在红外区(1.5~5.5μm)的平均透射率为85%,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流子浓度,使得自由载流子对红外光的吸收减弱.

关键词: In2O3 , 磁控溅射 , 溅射气压 , 电学特性 , 氧空位

氧对磁控溅射制备InN薄膜带隙的影响

石相军 , 汪健 , 朱洁 , 侯祥胡

功能材料与器件学报

本文用射频磁控溅射技术,以金属铟为靶材,在石英玻璃上制备出了InN薄膜,溅射气体为氩气(Ar)和氮气(Nz)的混合气体,溅射压强为0.5Pa~1.0Pa.InN晶体呈六方纤锌矿结构,随着压强的不同,晶体取向发生明显的变化,制得的InN薄膜的带隙为2.1eV ~2.3eV.X射线光电子能谱(XPS)和拉曼(Raman)分析氧原子以类似In2O3的形式存在,其存在会引起InN晶体质量变差,致使InN的带隙明显升高.

关键词: 射频磁控溅射 , InN , 带隙 , In2O3

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