李渊
,
王文文
,
张俊英
功能材料
采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟（In2O3：W,IWO）薄膜,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和光电性能的影响。结果表明薄膜的表面形貌与其光电性能有着紧密联系。氧分压显著影响薄膜的表面形貌进而对薄膜的光电性能产生影响,同时溅射时间的变化也显著影响薄膜的光电性能：随着氧分压以及溅射时间的升高,薄膜的电阻率均呈现先减小后增大的变化规律,在氧分压为2.4×10-1Pa条件下,制备样品的表面晶粒排布最细密,其电阻率达到6.3×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.9×1020cm-3,载流子迁移率为34cm2/（V.s）,可见光平均透射率约为85%,近红外光平均透射率〉80%。
关键词:
In2O3∶W薄膜
,
直流磁控溅射
,
氧分压
,
溅射时间
,
表面形貌
,
光电性能
