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MOCVD法生长InAlN材料及其微结构特性研究

董逊 , 倪金玉 , 李亮 , 彭大青 , 张东国 , 李忠辉

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).024

利用MOCVD法,在7．62 cm蓝宝石衬底上生长了InAlN薄膜及InAlN/GaN 异质结材料.利用XRD、AFM、Hall 等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析,InAlN 薄膜中 In 含量随生长温度的升高明显降低,材料表面为三维岛状结构；与AlGaN/GaN异质结材料相比,InAlN/GaN 异质结的高温电子输运特性更好,773 K 下 InAlN/GaN 异质结的迁移率为130 cm2/(v?s),明显高于 AlGaN/GaN异质结的67 cm2/(v?s).

关键词: MOCVD , InAlN , 迁移率

偏置应力对InAlN/GaNHEMT直流特性的影响?

王浩 , 谢生 , 冯志红 , 刘波 , 毛陆虹

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.010

采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的 In-AlN/GaN HEMT 器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明，在关态和开态应力后，器件直流特性明显退化，退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明，关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的；而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此，只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程，在无外界激励时，经过10 d左右的静置，器件基本恢复初始性能。

关键词: 高电子迁移率晶体管 , 电流崩塌 , 偏置应力 , 铟铝氮 , 氮化镓

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/35/11/113005

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/35/9/093001

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/37/2/024009

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