高玉竹
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周冉
,
龚秀英
,
杜传兴
材料热处理学报
研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化.用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100 pm.在350℃下,在氢气氛中对样品进行了11h的退火.测量结果表明,退火处理使InAsSb样品的电子迁移率从300 K下的43600 cm2/(V·s)提高到77 K下的48300 cm2/(V·s),材料的电学性能及元素分布均匀性得到了明显改善.
关键词:
InAsSb
,
退火处理
,
元素分布
,
电学性质
刘晓明
,
李洪涛
,
李美成
,
赵连城
稀有金属材料与工程
用分子束外延(MBE)方法生长了InAsSb/InSb多量子阱结构,并对其进行250 ℃、8 h的退火.采用X射线光电子能谱(XPS),通过Ar离子刻蚀对样品退火前后进行了深度分析,研究退火对In、As、Sb 3种元素价态和纵向元素浓度分布的影响.结果表明,长时间低温退火增强了表面氧化,促使As和Sb元素发生次层原子向表层的扩散和样品内部该两种元素的扩散.
关键词:
XPS
,
InAsSb
,
扩散
