武光明
,
朱江
,
李月法
,
贾锐
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.002
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质.结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的.
关键词:
材料科学基础学科
,
InAs自组织量子点(线)
,
光致发光光谱
,
浸润层
