张冠杰
,
舒永春
,
皮彪
,
邢小东
,
林耀望
,
姚江宏
,
王占国
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.003
通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料.在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δ-Si掺杂AlGaAs/GaAs结构材料.InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104 cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料.成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料.
关键词:
兼容性
,
调制掺杂GaAs
,
InP/InP外延材料
,
高电子迁移率
,
分子束外延
,
固体磷源
